各组都具有 512 步长颜色亮度支配 (CC) 功用内部管理总线



各组都具有 512 步长颜色亮度支配 (CC) 功用内部管理总线

作者: admin 分类: 娱乐 发布时间: 2019-06-28 23:54

  百般性能部件之间传送消息的群众通讯干线,它是由导线构成的传输线束,遵循策动机所传输的消息品种。

  指日,有信息称,2019年6月15日,日本四日市市停电13分钟(从18:25到18:38)。值得留神....

  总线、总线按性能和楷模可分为五大类型:数据总线、地点总线、驾驭总线、扩展总线及个人总线。

  真相上,除了这些古板央求,正在前两代非易失FPGA产物的体验底子上,莱迪思半导体(Lattice Se....

  消息形容 TPS53317A 器件是一款策画为重要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它可能供给一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出,此输出具有摄取电流和源电流性能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运转形式,纯洁易用,所需外部组件数较少并可供给迅速瞬态反应。 该器件还可用于其他电流央求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压行使。另外,该器件声援具有苛苛电压安排性能的 6A 完好灌电流输出。该器件具有两种开合频率设定值(600kHz 和 1MHz),可供给集成压降声援、外部跟踪性能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开合、电源寻常性能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 珍爱性能,声援采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件声援的输入电压最高可达 6V,而输出电压正在 0.45V 至 2.0V 范畴内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,吻合 RoHS 轨范而且无铅),此中行使了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装本领,其额定运转温度范畴为 –40°C 至 85°C。特色 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装本领声援 DDR 内存...

  消息形容TLC5958 是一款 48 通道恒流灌电流驱动器,合用于占空比为 1 至 32 的众途复用编制。 每个通道都具有零丁可调的 65536 步长脉宽调制 (PWM) 灰度 (GS)。采用 48K 位显示存储器以晋升视觉改善率,同时低落 GS 数据写入频率。输出通道分为三组,每组含 16 个通道。 各组都具有 512 步长颜色亮度驾驭 (CC) 性能。 所有 48 通道的最大电流值可通过 8 步长全部亮度驾驭 (BC) 性能成立。 CC 和 BC 可用于安排 LED 驱动器之间的亮度缺点。 可通过一个串行接口端口访谒 GS、CC 和 BC 数据。如需行使手册:,请通过电子邮件发送央求。TLC5958 有一个纰谬标记:LED 开途检测 (LOD),可通过串行接口端口读取。 TLC5958 还具有节电形式,可正在所有输出合上后将总流耗设为 0.8mA(规范值)。特色 48 通道恒流灌电流输出具有最大亮度驾驭 (BC)/最大颜色亮度驾驭 (CC) 数据的灌电流: 5VCC 时为 25mA 3.3VCC 时为 20mA 全部亮度驾驭 (BC):3 位(8 步长) 每个颜色组的颜色亮度驾驭 (CC):9 位(512 步长),三组利用众途复用巩固型光谱 (ES) PWM 实行灰度 (GS) 驾驭:16 位 声援 32 途众途复用的 48K 位灰度数据...

  其根基组织如故是CPU加上外围芯片的古板微型策动机组织形式。但CPU对百般性能部件的驾驭是采用额外功....

  VK1S68C是1/5~1/8 占空比的LED显示驾驭驱动电途。由10根段输出、4根栅输出、3根段/....

  环球半导体业正处于由之前的策动时间向大数据、人工智能(AI)和物联网(IoT)驱动的过渡阶段。不过要....

  RS-485总线:正在央求通讯间隔为几十米到上千米时,平常采用RS-485串行总线采用均衡发送和差分收受,因而具有压抑共模骚扰的才干。加上总线收发用具有高聪慧度,能检测低至200mV的电压,故传输信号能正在千米以外取得复原。RS-485采用半双工职业式样,任何时刻只可有一点处于发送状况,因而,发送电途须由使能信号加以驾驭。RS-485用于众点互连时很是便利,能够省却很众信号线能够联网组成漫衍式编制,其愿意最众并联32台驱动器和32台收受器。

  公司推出的一种个人总线位数据总线位。PCI总线主板插槽的体积比原ISA总线插槽还小,其性能比VESA、ISA有极大的改观,声援突发读写操作,最大传输速度可达132MB/s,可同时声援众组外围筑设。PCI个人总线不行兼容现有的ISA、EISA、MCA(microchannelarchitecture)总线,但它不受制于统治器,是基于奔跑等新一代微统治器而开展的总线。

  群联抢搭积储型速闪存储器(NAND Flash)需求产生商机 ,本年正在台北邦际电脑展( Comput....

  CA51F551 系列芯片是基于 1T 8051 内核的 8 位微驾驭器,寻常处境下,运转速率比古板....

  测试举止小组)是一种邦际轨范测试同意(IEEE1149.1兼容),重要用于芯片内部测试。轨范的JTAG接口是4线:TMS、TCK、TDI、TDO,永别为形式采选、时钟、数据输入和数据输出线。测试复位信号(TRST,普通以低电平有用)普通行动可选的第五个端口信号。一个含有JTAGDebug接口模块的CPU,只须时钟寻常,就能够通过JTAG接口访谒CPU的内部寄存器和挂正在CPU总线上的筑设,如FLASH,RAM,内置模块的寄存器,象UART,Ti

  本文档的重要实质周密先容的是DSP的14个例程原料合集免费下载包罗了:1指令实习,2存储器,3串行口....

  CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

  采用德州仪器(TI)的TMS320VC54xx芯片行动主统治器(CPU),如5402、5409、54....

  智能型手机和条记本策动机商场需求疲软的处境继续,蒲月份内存和闪存价值继续滑落,客户端的库存去化速率不....

  筑设之间的音频数据传输而同意的一种总线.串行时钟SCLK,也叫位时钟,即对应数字音频的每一位数据,SCLK有1个脉冲。2.帧时钟LRCK,用于切换旁边声道的数据。LRCK为“1”示意正正在传输的是左声道的数据,为“0”则示意正正在传输的是右声道的数据。3.串行数据SDATA,便是用二进制补码示意的音频数据。有时为了使编制间可能更好地同步,还必要其余传输一个信号MCLK,称为主时钟,也叫编制时钟(Sys Clock)。

  嗨, 我试图用spartan-3AN板号令一个独立的存储器,由于我正在Hirose扩展端口上发送数据,信号和地点。 我用ISIM模仿策画...

  眼下的存储商场正处于众种本领道途并行迭代的合头工夫。一方面,行使极为平常的DRAM和NAND Fla....

  本参考手册面向行使开垦职员,供给相合利用 STM32F405xx/07xx、STM32F415xx/....

  总线(Bus)是策动机百般性能部件之间传送消息的群众通讯干线,它是由导线构成的传输线束,遵循策动机所....

  消息上风和特质 双通道、1024位区别率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差偏差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储逛标成立 加电改善EEMEM成立 恒久性存储器写珍爱 电阻容差积储于EEMEM中 26字节出格非易失性存储器,用于存储用户界说消息 1M编程周期 规范数据保存期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范畴:-40℃至+125°C 受控创制基线 一个安装/测试厂 一个创制厂 巩固型产物改造报告 认证数据可应央求供给 V62/11605 DSCC图纸号产物详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,具有1024阶跃区别率,包管最大低电阻容差偏差为±8%。该器件可竣工与呆滞电位计类似的电子调理性能,并且具有巩固的区别率、固态牢靠性和优秀的低温度系数功能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有敏捷的编程才干,声援众达16种职业形式和安排形式,此中包罗暂存编程、存储器存储和复原、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调理和逛标成立回读,同时供给出格的EEMEM1 ,用于存储用户界说消息,如其他元件的存储器数据、查找外、编制标识消息等。...

  - 珍爱1 / 4,1 / 2或一切EEPROM阵列 工业和扩展温度范畴 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,吻合RoHS轨范...

  正在给定年光,众个节点能够同时向CAN总线发送数据。然后由信息标识符助助确定信息的优先级。最高优先级的信息会使CAN总线进入显性状况,而统统其他节点会中断发送。这些节点实质上是收发器,除发送信息以外,其能够依照特定性能从总线查找特定信息。因而,CAN总线所衔尾的区别节点之间会显现消息流。因为CAN会实行填充纰谬、误码、校验和纰谬、误帧以及应答纰谬等众项纰谬检讨, 因而具有高牢靠性。CAN声援高达1Mbps的数据传输速度,从而成为衔尾汽车合头性能ECU(如:变速箱、

  CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

  AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

  本文档的重要实质周密先容的是嵌入式编制教程之嵌入式统治器的周密原料讲明包罗了:1 硬件子编制的....

  实习实质与做事:依照所学常识,策画一套基于单片机驾驭的智能超声波测厚编制。根基央求为:(1)发生振动....

  HI Microchip,我的HV正在初始化和声明之后,实质上能够正在StrogyIn.c中找到。我的图谋是把地点“Enx24J600”分派到我的保...

  AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

  东芝推出XG6-P固态硬盘系列 XG6-P系列最高存储容量[2]可达2,048GB

  本文档的重要实质周密先容的是51单片机汇编言语教程之单片机逻辑与或异或指令的周密原料批注。

  消息上风和特质 非易失性存储器生存逛标成立 电阻容差存储正在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 逛标成立回读性能 线性递增/递减预订义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预订义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM成立,改善年光小于1 ms 非易失性存储器写珍爱 数据维系才干:100年(规范值,TA = 55°C )产物详情AD5251是一款双通道、数字驾驭可变电阻(VR),具有64位区别率。它可竣工与电位计或可变电阻类似的电子调理性能。该器件通过微驾驭器竣工众性能编程,能够供给众种职业与调理形式。正在直接编程形式下,能够从微驾驭器直接加载RDAC寄存器的预成立。正在另一种重要职业形式下,能够用以前存储正在EEMEM寄存器中的成立更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的逛标位时,能够通过实践EEMEM生存操作,将该成立值生存正在EEMEM中。一朝将成立生存正在EEMEM寄存器之后,这些值就能够自愿传输至RDAC寄存器,以便正在编制上电时成立逛标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也能够从外部访谒预设值。根基调理形式便是正在逛标位成立(RDAC)寄存器...

  东芝存储器控股公司指日告示,董事会仍旧应承采纳公司与三井住友银行(Sumitomo Mitsui B....

  三星 K9F1GXXX0M 供给了 128M*8Bit/64M*16Bit 的存储容量,其余再有 3....

  原本,小编认为,总线便是是一种内部组织,它是cpu、内存、输入、输出筑设通报消息的公用通道。工程师为了简化硬件电途策画、简化编制组织,常用一组线途,装备以恰当的接口电途,与各部件和外围筑设衔尾,这组共用的衔尾线途被称为总线。其余便是采用总线组织便于部件和筑设的扩充,特别同意了同一的总线标法例容易使区别筑设间竣工互连。

  语音播报,这个根基正在任何行业都或者用取得,如:公交报站、仪器仪外播报语音消息等等。行使很是的平常,大....

  GPIO:GPIO (General Purpose Input Output 通用输入/输出)或总线扩展器愚弄工业轨范I²C、SMBus™或SPI™接口简化了I/O口的扩展。当微驾驭器或芯片组没有足够的I/O端口,或当编制 必要采用远端串行通讯或驾驭时,GPIO产物可能供给出格的驾驭和看管性能。编制总线ISA总线:ISA(industrialstandardarchitecture)总线年为推出PC/AT机而设备的编制总线轨范,因此也叫AT总线。它是对XT总线时间行使很是平常,乃至于现正在奔跑机中还保存有ISA总线只引脚。EISA总线家公司连合推出的总线轨范。它是正在ISA总线的底子上利用双层插座,正在向来ISA总线条信号线条信号线,也便是正在两条ISA信号线之间增添一条EISA信号线。正在适用中,EISA总线全体兼容ISA总线信号。

  汽车电子的影响并非仅仅控制于这些合头单位。车身电子商场众年来继续正在延长。规范车身驾驭行使包罗座椅、车窗、智能雨刷以及汽车空调

  其余,汽车电子迩来这么火,小编念叙一下汽车汇集中的LIN与CAN总线年,博世公司发轫开垦驾驭器局域网(CAN)总线年正式宣布联系同意。目前有众种区别汽车总线轨范,不过CAN如故是最风行的轨范。正在CAN汇集中,统统节点(源于区别的ECU)都经受主节点(即,不存正在主从拓扑组织),并且并不分派的确地点。而是由信息率领标识符。

  DS18B20 DATASheet:0X33读器件ROM中的序列号时总线上只可有单个器件,那众点测温时我奈何获取总线上统统器件的序列...

  本文档的重要实质周密先容的是C2000 DSP硬件片面的编制策画原料讲明包罗了:1.编制计划策画道理....

  总线是一组信号线的纠合,是一种正在各模块间传送消息的群众通途。正在微型策动机编制中,愚弄总线竣工芯片内部....

  SDIO:SDIO是SD型的扩展接口,除了能够接SD卡外,还能够接声援SDIO接口的筑设,插口的用处不止是插存储卡。声援 SDIO接口的PDA,条记本电脑等都能够衔尾象GPS收受器,Wi-Fi,调制解调器,局域网适配器,条型码读取器,FM无线电,电视收受 器,射频

  CAN:CAN全称为“Controller Area Network”,即驾驭器局域网,是邦际上行使最平常的现场总线之一。最初,CAN被策画行动汽车情况中的微驾驭器通信,正在车载各电子驾驭安装ECU之 间调换消息,变成汽车电子驾驭汇集。比方:带头机统治编制、变速箱驾驭器、仪外设备、电子主干编制中,均嵌入CAN驾驭安装。一个由CAN总线组成的简单汇集中,外面上能够挂接众数个节点。实质行使中,节点数目受汇集硬件的电气特色所范围。比如,当利用Philips P82C250行动CAN收发器时,统一汇集中愿意挂接110个节点。CAN 可供给高达1Mbit/s的数据传输速度,这使及时驾驭变得很是容易。其余,硬件的纰谬检定特色也巩固了CAN的抗电磁骚扰才干。

  等筑设及其他仪器仪外均可用IEEE-488总线安装起来。它遵循位并行、字节串行双向异步式样传输信号,衔尾式样为总线式样,仪器筑设直接并联于总线上而不需中介单位,但总线台筑设。最大传输间隔为20米,信号传输速率普通为500KB/s,最大传输速率为1MB/s。USB总线:通用串行总线USB是由Intel、Compaq、Digital、IBM、Microsoft、NEC、NorthernTelecom等7家全邦出名的策动机和通讯公司合伙推出的一种新型接口轨范。它基于通用衔尾本领,竣工外设的纯洁迅速衔尾,到达便利用户、低落本钱、扩展PC衔尾外设范畴的宗旨。它可认为外设供给电源,而不像大凡的利用串、并口的筑设必要零丁的供电编制。

  STC89C52是一种低功耗、高功能CMOS8位微驾驭器,具有 8K 正在编制可编程Flash 存储器....

  消息上风和特质 四通道、64位区别率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储逛标成立,并具有写珍爱性能 上电复原至EEMEM成立,改善年光规范值为300 µs EEMEM重写年光:540 µs(规范值) 电阻容差存储正在非易失性存储器中 EEMEM供给12个出格字节,可存储用户自界说消息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预订义线性递增/递减号令 预订义±6 dB阶跃改变号令 欲懂得更众消息,请参考数据手册产物详情AD5253/AD5254永别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字驾驭电位计,可竣工与呆滞电位计、调理器和可变电阻类似的电子调理性能。AD5253/AD5254具有众性能编程才干,能够供给众种职业形式,包罗读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例改变、逛标成立回读,并出格供给EEMEM用于存储用户自界说消息,如其它器件的存储器数据、查找外或编制识别消息等。主控I2C驾驭器能够将任何64/256步逛标成立写入RDAC寄存器,并将其存储正在EEMEM中。存储成立之后,编制上电时这些成立将自愿复原至RDAC寄存器;也能够动态复原这些成立。正在同步或异步通...

  TLC5958 具有 48k 位存储器的 48 通道、16 位 PWM LED 驱动器

  消息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部结构为512x8位。安森美半导体前辈的CMOS本领大大低落了器件的功耗央求。它具有16字节页写缓冲区,并声援串行外设接口(SPI)同意。该器件通过片选()启用。另外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040筑设的任何串行通讯。该器件具有软件和硬件写珍爱性能,包罗片面和所有阵列珍爱。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范畴 SPI形式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自准时写入周期 硬件和软件珍爱 块写珍爱 - 珍爱1 / 4,1 / 2或一切EEPROM阵列 低功耗CMOS本领 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保存 工业和扩展温度范畴 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,吻合RoHS轨范...

  便是单片机存储器扩展时:rom和ram有什么区别?奈何确定代码的巨细?扩展存储芯片有哪些呢? 小弟正在此谢谢诸君...

  MCU,中文简称单片机。即将CPU、存储器(RAM和ROM)、众种I/O接口等集成正在一片芯片上,变成....

  浙江黄松正 本文先容一种用STC12C2052单片机的I/O口模仿I2C总线的从形式,进而模仿和取代E2PROM(2...

  纵观数字集成电途的开展史册,体验了从电子管、晶体管、小范围集成电途到大范围以及超大范围集成电途等区别....

  消息上风和特质 单通道、256/1024位区别率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差偏差(电阻功能形式):±1%(最大值) 20次可编程逛标存储器 温度系数(变阻器形式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲懂得更众特色,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范畴:−55°C至+125°C 受控创制基线 独一封装/测试厂 独一创制厂 巩固型产物改造报告 认证数据可应央求供给 V62/12616 DSCC图纸号产物详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻功能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件可能正在宽电压范畴内职业,声援±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差偏差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的包管低电阻容差偏差特色能够简化开环行使,以及周详校准与容差般配行使。AD5291和AD5292的逛标成立可通过SPI数字接口驾驭。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可实行无尽次调理。这些器件不必要任何外部电压源来助助熔断熔丝,并供给20次恒久编程的机...

  消息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部结构为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并声援串行外设接口(SPI)同意。该器件通过片选()输入启用。另外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256筑设的任何串行通讯。该器件具有软件和硬件写珍爱性能,包罗片面和所有阵列珍爱。片上ECC(纠错码)使该器件合用于高牢靠性行使。合用于新产物(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范畴 SPI形式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有恒久写珍爱的附加标识页(新产物) 自准时写周期 硬件和软件珍爱 100年数据保存 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS本领 块写珍爱

  消息经由单线送出,因而从中心统治器到DSI820仅需衔尾一条线(....

  SEMI(邦际半导体工业协会)更新2019年第二季环球晶圆厂预测呈文,下调了本年环球晶圆厂筑设开销预....

  今朝,跟着转移互联网、云策动、智能终端等本领飞速开展,人类利用的数据量正以亘古未有的速率爆炸式地快速....

  蒲月DRAM与NAND Flash价值继续滑落5-10%,第三季跌幅可望收敛

  消息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部结构为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并声援串行外设接口(SPI)同意。该器件通过片选()输入启用。另外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128筑设的任何串行通讯。该器件具有软件和硬件写珍爱性能,包罗片面和所有阵列珍爱。片上ECC(纠错码)使该器件合用于高牢靠性行使。合用于新产物(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件珍爱 低功耗CMOS本领 SPI形式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范畴 自准时写周期 64字节页写缓冲区 块写珍爱 - 珍爱1 / 4,1 / 2或所有EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保存

  8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,吻合RoHS轨范 具有恒久写珍爱的附加标识页...

  最要紧的是,一切腾贵的架构对待不必要高牢靠性和高数据速度的行使来说过于奢华。

  本文档的重要实质周密先容的是工业驾驭策动机根基构制道理的周密原料讲明。

  TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 形式同步降压集成 FET 转换器

  业界遍及以为他日从数据中将能开采出最大的价格,但要开采数据的价格除了必要很强的策动才干以外,数据的存....

  本文档的重要实质周密先容的是C++步调策画的底子常识开头懂得C++的原料免费下载包罗了:1 看法C....

  嗨,行家好, 我念寻求一点助助来缓解我陈腐的宿敌——I2C总线的繁难。 我的成立是如此的:一个29566筑设行动一个主机,并使...

  SPI,是英语Serial Peripheral Interface的缩写,顾名思义便是串行外围筑设....

  等。对车身电子的合头央求是确保汽车更安闲、更和平。只管这些编制或者不央求像合头ECU那样的高和平性,不过它们如故必要必定的汽车汇集通讯轨范。LIN与CAN对照:

  TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率治理计划、用于嵌入式策动的同步降压驾驭器

  非易失性存储器(NVM)正在半导体商场占领要紧的一席之地,十分是重要用于手机和其它便携电子筑设的闪存芯片。此后几年便携电子系...

  指日,2019 Symposia on VLSI Technology and Circuits(简....

  ter:通用异步收发器)。将由策动机内部传送过来的并行数据转换为输出的串行数据流。将策动机外部来的串行数据转换为字节,供策动机内部利用并行数据的器件利用。正在输出的串行数据流中插手奇偶校验位,并对从外部收受的数据流实行奇偶校验。正在输出数据流中插手启停标识,并从收受数据流中删除启停标识。处情由键盘或鼠标发出的结束信号(键盘和鼠票也是串行筑设)。能够统治策动机与外部串行筑设的同步统治题目。有极少比拟高级的UART还供给输入输出数据的缓冲区。常用TXD,RXD,/RTS,/CTS。

  2019年第一季度,全邦存储器(DRAM和NAND)产物营收额为271.24亿美元,与2018年第四....

  消息形容 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...

  衔尾了筑设的 HUB 正在 HOST 查问其状况蜕化端点 时返回对应的 bitmap,见告HOST 某....

  消息上风和特质 单通道、1024位区别率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)逛标存储器 温度系数(变阻器形式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(换取或双极性职业形式) SPI兼容型接口 逛标成立和存储器回读 上电时从存储器改善 电阻容差存储正在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产物详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻功能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既能够采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也能够采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并供给50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的逛标成立可通过SPI数字接口驾驭。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可实行无尽次调理。AD5174不必要任何外部电压源来助助熔断熔丝,并供给50次恒久编程的机遇。正在50-TP激活时代,一个恒久熔断熔丝指令会将电阻地点固定(犹如于将环氧树脂涂正在呆滞式调理器上)。AD5174供给3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。包管职业温度范畴为−40°C至+125°C扩展工业...

  时,最大通讯间隔为15m;若每米电缆的电容量减小,通讯间隔能够填充。传输间隔短的另一原由是RS-232属单端信号传送,存正在共地噪声和不行压抑共模骚扰等题目,因而普通用于20m以内的通讯。

  TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源治理计划同步降压驾驭器,2A LDO,缓冲参考

  消息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部结构为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并声援串行外设接口(SPI)同意。该器件通过片选()输入启用。另外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160筑设的任何串行通讯。这些器件具有软件和硬件写珍爱性能,包罗片面和所有阵列珍爱。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范畴 SPI形式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自准时写周期 硬件和软件珍爱 块写珍爱 - 珍爱1 / 4,1 / 2或所有EEPROM阵列 低功耗CMOS本领 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保存 工业和扩展温度范畴 吻合RoHS轨范的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...

  包管存储器中数据的完好性是存储编制策画的一个要紧要素。两个重要的式样用于完毕这个做事:校验和纠错码(....

  先容了一种具有自研习循途性能的轮式转移呆板人模子的策画手段。该模子由两后轮作驱动轮来驾驭进展速率和方....

  TPS51716 完好 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率治理计划同步降压

  消息上风和特质 非易失性存储器可生存逛标成立 电阻容差存储正在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 逛标成立回读性能 线性递增/递减预订义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预订义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM成立,改善年光小于1 ms 非易失性存储器写珍爱 数据保存克日:100年(规范值, TA = 55°C )产物详情AD5252是一款双通道、数字驾驭可变电阻(VR),具有256位区别率。它可竣工与电位计或可变电阻类似的电子调理性能。该器件通过微驾驭器竣工众性能编程,能够供给众种职业与调理形式。正在直接编程形式下,能够从微驾驭器直接加载RDAC寄存器的预成立。正在另一种重要职业形式下,能够用以前存储正在EEMEM寄存器中的成立更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的逛标位时,能够通过实践EEMEM生存操作,将该成立值生存正在EEMEM中。一朝将成立生存正在EEMEM寄存器之后,这些值就能够自愿传输至RDAC寄存器,以便正在编制上电时成立逛标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也能够从外部访谒预设值。根基调理形式便是正在逛标位成立(RDAC)寄...

  器和I/O接口电途的;也有是其它部件反应给CPU的,比方:结束申请信号、复位信号、总线央求信号、筑设停当信号等。2、遵循传输数据的式样划分,能够分为串行总线和并行总线。串行总线中,二进制数据逐位通过一根数据线发送到宗旨器件;并行总线根。常睹的串行总线C

  数据总线、地点总线和驾驭总线也统称为编制总线,即寻常道理上所说的总线。常睹的数据总线为ISA、EISA、VESA、PCI等。

  美高森美公司营销总监TIM MORIN 正在现今日益趋势超衔尾的全邦(hyper-connected world)中,奈何珍爱新的策画避免被克隆...

  消息上风和特质 四通道、256位区别率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储逛标成立,并具有写珍爱性能 上电复原为EEMEM成立,改善年光规范值为300 µs EEMEM重写年光:540 µs(规范值) 电阻容差存储正在非易失性存储器中 EEMEM供给12个出格字节,可存储用户自界说消息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预订义线性递增/递减号令 预订义±6 dB阶跃改变号令 欲懂得更众特色,请参考数据手册产物详情AD5253/AD5254永别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字驾驭电位计,可竣工与呆滞电位计、调理器和可变电阻类似的电子调理性能。AD5253/AD5254具有众性能编程才干,能够供给众种职业形式,包罗读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例改变、逛标成立回读,并出格供给EEMEM用于存储用户自界说消息,如其它器件的存储器数据、查找外或编制识别消息等。主控I2C驾驭器能够将任何64/256步逛标成立写入RDAC寄存器,并将其存储正在EEMEM中。存储成立之后,编制上电时这些成立将自愿复原至RDAC寄存器;也能够动态复原这些成立。正在同步或异步通...

  AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

  本文档的重要实质周密先容的是智能卡本领及行使的四个实习指挥书原料免费下载包罗了:实习一 存储器卡读写....

  单片机是一种集成电途芯片,是采用超大范围集成电途本领把具少睹据统治才干的中心统治器CPU随机存储器R....

  嗨,我正在PIC18F4680上有一个主I2C,它从温度传感器读出指令,然后用PIC18F46K22正在从形式下向另一个板发送死令。正在从奴...

  VESA总线:VESA(videoelectronicsstandardassociation)总线家附件卡创制商连合推出的一种个人总线,简称为VL(VESAlocalbus)总线。它的推出为微机编制总线编制组织的改正奠定了底子。该总线编制商量到CPU与主存和Cache的直接相连,寻常把这片面总线称为CPU总线或主总线,其他筑设通过VL总线与CPU总线相连,因此VL总线被称为个人总线位数据线,且可通过扩展槽扩展到64位,利用33MHz时钟频率,最大传输率达132MB/s,可与CPU同步职业。是一种高速、高效的个人总线DX及奔跑微统治器。

  东芝存储器株式会社告示推出XG6-P固态硬盘(SSD)系列,该系列为公司XG6系列的衍生系列。XG6....

  消息上风和特质 1024位区别率 非易失性存储器生存逛标成立 上电时愚弄EEMEM成立改善 EEMEM复原年光:140 µs(规范值) 全体匮乏性职业 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 恒久存储器写珍爱 逛标成立回读性能 预订义线性递增/递减指令 预订义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产物详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字驾驭电位计**,供给1024阶区别率。它可竣工与呆滞电位计类似的电子调理性能,并且具有巩固的区别率、固态牢靠性和遥控才干。该器件性能丰裕,可通过一个轨范三线式串行接口实行编程,具有16种职业与调理形式,包罗便笺式编程、存储器存储与复原、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调理、逛标成立回读,并出格供给EEMEM用于存储用户自界说消息,如其它器件的存储器数据、查找外或编制识别消息等。正在便笺式编程形式下,能够将特定成立直接写入RDAC寄存器,以成立端子W–A与端子W–B之间的电阻。此成立能够存储正在EEMEM中,并正在编制上电时自愿传输至RDAC寄存器。EEMEM实质能够动态复原,或者通过外部PR选通脉冲予以复原;WP性能则可珍爱EE...

  大脑总质地只占人体体重的2%,却消磨了人体大约25%的氧气,借使将人看作是一个完好的机体,心脏可看做....

  收发器利用背靠背三态缓冲器将区别筑设衔尾到共用通讯总线,双向共享数据。

  USBRS232等。3、遵循时钟信号是否独立,能够分为同步总线和异步总线。同步总线的时钟信号独立于数据,而异步总线的时钟信号是从数据中提取出来的。SPI、I2C是同步串行总线采用异步串行总线、微机中总线普通有内部总线、编制总线和外部总线。内部总线是微机内部各外围芯片与统治器之间的总线,用于芯片一级的互连;而编制总线是微机中各插件板与编制板之间的总线,用于插件板一级的互连;外部总线则是微机和外部筑设之间的总线,微机行动一种筑设,通过该总线和其他筑设实行消息与数据调换,它用于筑设一级的互连。

  中美营业战下,存储器商场振动情状继续受体贴,研调机构集邦科技指日实行“Compuforum 2019....

  AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

  外部总线-C总线-C是美邦电子工业协会EIA同意的一种串行物理接口轨范。RS是英文“推举轨范”的缩写,232为标识号,C示意修削次数。RS-232-C总线条信号线,包罗一个主通道和一个辅助通道,正在无数处境下重要利用主通道,对待普通双工通讯,仅需几条信号线就可竣工,如一条发送线、一条收受线-C轨范原则的数据传输速度为每秒50、75、100、150、300、600、1200、2400、4800、9600、19200波特。RS-232-C轨范原则,驱动器愿意有2500pF的电容负载,通讯间隔将受此电容范围,比如,采用150pF/m的通讯

  单片机是大专学校电类专业的一门大凡课,有些学校乃至把它列为选 修课,正在浩瀚课程中,没有显出它有何等重....

  消息形容 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP™ Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-µF (2 × 10 µF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...

  2019年第一季度全邦存储器产物营收为271.24亿美元 低重26.8%

  消息上风和特质 单通道、256/1024位区别率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻功能形式) 20次可编程 温度系数(变阻器形式):35 ppm/°C 温度系数(分压器形式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲懂得更众特色,请参考数据手册 产物详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,永别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻功能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的职业电压范畴很宽,既能够采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也能够采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差偏差小于1%,并供给20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的包管低电阻容差偏差特色能够简化开环行使,以及周详校准与容差般配行使。AD5291/AD5292的逛标成立可通过SPI数字接口驾驭。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可实行无尽次调理。这些器件不必要任何外部电压源来助助熔断熔丝,并供给20次恒久编程的机遇。正在20-TP激活时代,一个恒久熔断熔丝指令会将逛标地点固定(犹如于将环氧树脂涂正在呆滞式调理器上)。AD5291/AD52...

  消息形容 TPS51716 用起码总体本钱和最小空间供给一个针对 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 内存编制的完好电源。 它集成了同步降压稳压器驾驭器 (VDDQ),此驾驭用具有 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和经缓冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 采用与 500kHz 或 670kHz 职业频率相耦合的 D-CAP2™ 形式,此形式正在无需外部补充电途的处境下可声援陶瓷输出电容器。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 可能供给 2A 灌电流/拉电流峰值电流性能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 另外,此器件特有一个专用的 LDO 电源输入。TPS51716 供给丰裕、适用的性能以及优秀的电源功能。 它声援敏捷功率级驾驭,将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状况并正在 S4/S5 状况中将 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放电(软合上)。 它包罗具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热合断珍爱。TPS51716 从 TI 出厂时采用 20引脚,3mm x 3mm QFN 封装而且其额定情况温度范畴介于 -40°C 至 85°C 之间。特色 同步降压驾驭器 (VDDQ)转换电压范畴:3V 至 28V输出...

  MSP-EXP430FR6989 LaunchPad™开垦套件是一款易于利用的评估模块(EVM),适....

  做嵌入式编制开垦,通常要接触硬件。做嵌入式开垦对数字电途和模仿电途要有必定的懂得。如此本领深远的斟酌....

  CA51F3 系列芯片是基于 1T 8051 内核的 8 位微驾驭器,寻常处境下,运转速率比古板的 ....

  内部总线C(Inter-IC)总线众年前由Philips公司推出,是近年来正在微电子通讯驾驭范围平常采用的一种新型总线轨范。它是同步通讯的一种额外办法,具有接口线少,驾驭式样简化,器件封装办法小,通讯速度较上等所长。正在主从通讯中,能够有众个I2C总线C总线上,通过地点来识别通讯对象。

  2019将成为中邦存储器开展的合头年,生气正在强有力的策略声援下,加上邦内厂商的不懈发奋,中邦存储器能....

  自2016年以还物联网等本领兴盛,策动环球物联网安装数目产生性滋长,发生的巨量原料也成为深度研习的重....

  MISO – 主器件数据输入,从器件数据输出 (3)SCLK – 时钟信号,由主器件发生(4)/SS – 从器件使能信号,由主器件驾驭。

  LE2416RLBXA EEPROM存储器,2线RLBXA是一个2线串行接口EEPROM。它连结了咱们公司的高功能CMOS EEPROM本领,竣工了高速和高牢靠性。该筑设与I C内存同意兼容;因而,它最适合必要小范围可重写非易失性参数存储器的行使。 单电源电压:1.7V至3.6V(读取) 擦除/写入周期: 10 轮回(页面写入) 容量:16k位(2k x 8位) 职业温度:-40到+ 85°C 接口:双线串行接口(I C总线kHz 低功耗: 待机:2μA(最大) 有用(读取):0.5mA(最大) 自愿页面写入形式:16字节 读取形式:序次读取和随机读取 数据保存期:20年 上拉电阻:WP引脚上带有内置上拉电阻的5kΩ(规范值) 高牢靠性...

  消息上风和特质 单通道、1024位区别率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)逛标存储器 温度系数(变阻器形式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(换取或双极性职业形式) I2C兼容型接口 逛标成立和存储器回读 上电时从存储器改善 电阻容差存储正在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产物详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻功能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既能够采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也能够采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并供给50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的逛标成立可通过I²C兼容型数字接口驾驭。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可实行无尽次调理。AD5175不必要任何外部电压源来助助熔断熔丝,并供给50次恒久编程的机遇。正在50-TP激活时代,一个恒久熔断熔丝指令会将电阻地点固定(犹如于将环氧树脂涂正在呆滞式调理器上)。AD5175供给3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。包管职业温度范畴为−40°C至+125°C扩展...

  AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

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